对于未钝化的HEMT器件，即使在考虑了测量误差的情况下，计算出的最大输出功率也往往与实验结果有很大偏差，而这个偏差就是由于电流崩塌效应引起的。从发现电流崩塌现象以来，AlGaN/GaN HEMT中的电流崩塌现象就有多种不同的描述方式（Current slump,Current collapse,RF disperision,Current disperision）。根据电流崩塌产生的条件的不同，电流崩塌现象有两种不同的描述方式。第一种方式源于Khan等人的实验观察结果。当AlGaN/GaN HEMT源漏电压较高时，器件的输出电流大大减小，后来很多研究者把这种现象称为电流崩塌效应。第二种是1999年德国的Kohn等首先报道的，他们在实验室中发现了AlGaN/GaN基调制掺杂场效应晶体管（MODFET）的高频频散现象，而且RF信号下器件的输出功率明显减小，他们称这种现象为“RF power compression”，这是第一次关于AlGaN/GaN器件在RF信号下电流崩塌效应引起的输出功率减小的报道。在此之后，又有不少研究小组报道了GaN基HEMT在RF信号下输出功率密度和功率附加效率减小的现象，这被称为“RF dispersion”，主要是指器件在RF信号下测量得到的输出功率相对于理论计算所得到的功率值有明显的减小。
以上两种现象都会使器件的输出电流减小，膝点电压Vknee增加，最终导致器件的输出功率密度和功率附加效率减小，器件性能恶化如图1，所以很多学把它称为电流崩塌效应。
图1 电流崩塌示意图
除了以上两种条件下会出现电流崩塌效应，栅延迟、漏延迟和应力之下的电流也会出现崩塌现象，也是人们研究的重点。漏延迟是指栅压固定，在漏极加一个脉冲电压，漏电流会小于脉冲前的电流值，并且在脉冲结束后，漏电流要经过一段时间后才能恢复到脉冲前的水平的现象。研究表明这种漏延迟与GaN缓冲层有关，在GaN MESFET器件中也观察到这种电流崩塌现象，而且实验结果表明这种电流崩塌不受表明钝化的影响，因此可以确定它是由缓冲层中的电子陷阱造成的[78]。栅延迟是指漏压固定而在栅极上加一个脉冲电压时，漏电流小于脉冲之前的电流值，并且当脉冲结束后漏电流也需要经过一段时间才能恢复的现象。栅延迟是当前关于AlGaN/GaN HEMT电流崩塌现象研究的热点。
以上所有的现象表明：在AlGaN/GaN HEMT中存在着陷阱，正是由于这些陷阱的存在才使得输出漏电流下降、膝点电压上升，进而输出功率下降，小于理想值。
