用热反射测温技术测量GaN HEMT的瞬态
第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具备较高的功率密度,同时具有较强的自热效应,在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件...
氮化镓中铬含量的二次离子质谱分
氮化镓材料禁带宽度较大,是宽禁带半导体之一,被广泛用作微波功率晶体管和蓝色光发光器件的生产制造原材料。氮化镓材料的探究与使用是目前全世界...
一种阳极连接P型埋层的AlGaN/GaN肖特
最近,AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)受到了越来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高导通电阻小等特点,因而被业界广泛地认为是下一代功率器...
绝缘栅HEMT器件界面固定电荷分析
绝缘栅HEMT器件中除了存在界面态外,栅绝缘层还会在界面引入固定电荷和体电荷,研究表明栅绝缘层与氮化物势垒层之间界面固定电荷密度可以高达10 13...
Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件结构与特
1. 器件结构与工艺 通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现,PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性;但...
AIN/AIGaN/GaN MIS异质结构C-V分析
C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。 1 . C - V曲线及载流子浓...
4英寸半绝缘自支撑氮化镓晶圆片量
由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配,自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力,如发光二极管,激光二极管,功率器件和射频...
AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性
1. 栅漏电分析 关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一,采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种...
AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作
1 . 器件结构与工艺 绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示,AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到,由下往上依次为180nm高温AlN成核...
AlN钝化器件电流崩塌分析
电流崩塌和关态栅漏电一样,是制约GaN基HEMT器件发展的非常重要的因素之一,一方面表现为,在脉冲测试条件下漏极输出电流与直流特性相比大幅减小;另...