技术前瞻
氮化镓器件技术前瞻,生产研发技术动态,氮化镓厂家新器件。
氮化镓器件技术前瞻,生产研发技术动态,氮化镓厂家新器件。
最近,麻省理工学院(MIT)、半导体公司IQE、哥伦比亚大学、IBM以及新加坡MIT研究与技术联盟的科研人员展示出一项新型设计,让氮化镓功率器件处理的电...
从一九五零年代开始,硅是功率半导体的主要材料。与锗或硒等其它早期半导体材料相比,它具有四大特点: 硅器件推动了全新应用的出现; 硅器件被证实更...
土耳其比尔肯特大学研发出在柔性/刚性衬底上制造氮化镓(GaN)背栅薄膜晶体管(TFT)的低温工艺。据该团队表示,整个制造温度低于200摄氏度,是现有...
一个电子器件想要获得重大的商业成功,必须以可支付的成本提供更好的性能。据此判断,硅基氮化镓(GaN)技术非常具有前景。由这种材料实现的高电子...
美国海军研究实验室(NRL)的一个研究团队在持续推进氮化镓(GaN)技术在射频无线技术领域的研究,最近在生长过渡金属氮材料氮化铌(Nb2N)上取得突破...
欧盟制定了一个雄心勃勃的目标,即到2050年将其总体温室气体排放量降低至少80%。要实现该目标,汽车行业的贡献将非常重要。美国企业平均燃油经济性...
近日,日本宇航研究开发机构(JAXA)正在评估日本松下公司生产的下一代X波段氮化镓功率晶体管,这是松下公司于2016年开始批量生产的功率器件。 位于茨...
本文所涉及的 GaN HEMT材料是采用MOCVD技术在4in半绝缘SiC衬底上生长的,外延层结构主要包括20nm厚的AlN成核层、2m厚含Fe掺杂区的GaN缓冲层、1nm厚AlN插入层、...
GaN单晶的熔点高达2300℃,而分解温度只有900℃,采用熔融法制备单晶需要极高的压力平衡条件,因此GaN单晶生长难度很大。虽然目前已经有几种GaN体晶生长...
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为...