技术前瞻
氮化镓器件技术前瞻,生产研发技术动态,氮化镓厂家新器件。
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任意转移GaN技术 利用Nb2N所具有的选择性蚀刻属性,开发了一种外延剥离(ELO)技术,可将Ⅲ-N材料、器件或电路转移到另一个衬底上(参见图1的综述)。高技术...
氮化镓(GaN)器件正在改变我们的生活,其中LED是其领跑者。由于LED富有竞争力的价格,极高的效率和快速响应的能力,已被广泛地应用于家庭、办公室和公共空...
元件布局 注意:GaAs和GaN MMIC对静电放电(ESD)非常敏感。应对接地设备、环境、工作站和操作人员采取适当的预防措施,以最小化/消除在裸片处理、组装和封...
所有已经进行的增强型HEMT的制备制备技术有其优点也有其不足之处。比如使用感应耦合等离子刻蚀(ICP),或者反应离子刻蚀(RIE)刻蚀栅槽方法可能带来...
1. p-GaN 的制备 在生长出质量很好的未掺杂GaN衬底基础上,我们可以继续生长Mg掺杂的GaN外延层以得到p型的GaN衬底。图1给出了在不同的Mg源温度下生长得到...
在常温常压下,氮化镓(GaN)的结构为六方晶系纤锌矿型结构,可以看成是由Ga的六方密堆格子与N的六方密堆格子沿GaNsp 3 键方向错位套构而成。GaN是一种宽禁...
GaN材料因其高的热导率、高的击穿电场、高电子饱和迁移速度等性质,在微电子器件和光电子器件方面都有着广阔的应用前景。激子效应由于在激光器、探...
GaN是一种非常有前景的半导体材料,具有禁带宽度大(~3.4eV)、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好、击穿电压高和高温化学稳定性好等特点,它...
电压突破横向器件的 600V 达到 1200V 在电气电子工程师协会的国际电子器件会议(IEDM),来自美国麻省理工学院(MIT)、英国晶圆和衬底制造商IQE、美国哥...
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高电子迁移率、高临界场强、高导热性等优异物理特性,使其成为十分理想的功率电子材...