技术前瞻
氮化镓器件技术前瞻,生产研发技术动态,氮化镓厂家新器件。
氮化镓器件技术前瞻,生产研发技术动态,氮化镓厂家新器件。
半导体产业的发展经历了以硅为代表的第一代半导体,以砷化镓为代表的第二代半导体,以及以氮化镓为代表的第三代半导体。氮化镓材料具有禁带宽度大...
近几年来,可替代功率MOSFET器件的基于氮化镓晶体管产品系列已非常广阔。除了优异的传导性能外,这些新一代器件的开关速度比传统硅器件要快十倍。这...
氮化镓具有高饱和电子速率和击穿电压及耐高温等特性,可用于制作极其恶劣环境下运行的高温、高频和大功率电子器件(FET,HEMT),应用于无线通讯、卫星通信...
近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。这种材料属于宽禁带半导体,是一种高硬度、高熔点材料, 凭借独特的电磁和光学特性,成为...
最近,美国空军研究实验室(AFRL)工程师独立进行了一项调查,其侧重点在于氮化镓epi-flip和金刚石沉积过程是否对氮化镓外延有害且是否会对器件性能造成...
美国加州大学分校的研究团队经过计算表明在AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中插入一个InN单原子层可以提高器件的性能。根据研究结果,加入一个极薄的...
由于电子系统在设计上的进步,显著地提高了电功率转换系统的性能和效率。基于硅(Si)电路的IGBT和MOSFET始终是功率转换系统中的主要电子部件,在过去几...
据国际能源机构(IEA)的报告,电能在一级能源消耗中占据着43%这一惊人的份额,因而无论是从环保角度还是从经济角度,实现高效率电能转换的重要性将比以往...
要能在硅衬底上制造出性能更好GaN晶体管需采用两种顶级技术:一是在缓冲层中插入AlGaN中间层来调整应变,或是引入双异质结构来增加对电子的束缚。 虽然...
采用独立式(freestanding)氢化物气相外延(HVPE)方法来生长GaN衬底,具有制作器件所需的高晶体质量和优良的电学性能,一种具有最佳性能的衬底,可用于制作...