HMET的MOS栅极结构输出电流特性

在金属栅和AlGaN势垒层间插入Si02绝缘层，会形成MOSHFET结构，这种结构克服了肖特基接触反向泄漏电流大，易击穿的问题，能够进一步改善器件的热稳定性。图1是SiO2厚度分别为1nm、10nm、20nm三种情况下的输出漏极电流。图1a是相对应栅极电压下的输出电流，从图中可以看出，阈值电压绝对值大幅增加，这是所加的SiO2使栅的耗尽作用变弱造成的。图1b和c分别是栅极电压分别为0V和-2V情况下的输出电流，比较不同SiO2厚度情况下的输出电流可以看出，随着SiO2厚度的增加，输出电流增加，这是由于SiO2减弱了栅极对沟道电子的调制作用。