氮化镓功率器件

2018-03-30 阅读(517)

GaN HEMT材料厚度、电学特性等参数的均匀性和一致性不仅要满足器件研制工艺的要求，而且是器件性能一致性的重要保证，为GaN微波功率器件筛选和MMIC电路...

2018-03-30 阅读(726)

高迁移率 AlGaN/GaN异质结构材料的获取不仅需要高质量GaN缓冲层的保障，同时还要对AlN插入层和AIGAN势垒层的生长条件进行优化。MOCVD外延AlN通常在高温、低...

2018-03-29 阅读(694)

由于GaN外延材料生长温度高，生长过程极易引入杂质，造成材料内部出现大量点缺陷。GaN缓冲层生长过程中非故意引入的杂质主要是Si、O等浅施主杂质，导...

2018-03-29 阅读(601)

异质外延生长由于外延材料和衬底材料存在晶格参数的不匹配，外延材料会出现位错、层错等结构缺陷。因为GaN与几种常用衬底材料之间都存在着严重的晶...

2018-03-28 阅读(937)

GaN作为Ⅲ氮化物二元材料之一，其研究始于20世纪30年代，Juza等利用氨气(NH 3 )通过热流体镓(Ga)，在高温下成功合成具有良好稳定性的GaN粉末。1969年，Maru...

2018-03-27 阅读(680)

利用GaN材料体系,可制备蓝、绿光LEDs,蓝紫、紫外光LDs,紫外(UV)光探测器以及高频大功率电子器件等器件。 Ⅲ族氮化物半导体材料和器件的开发成功,使其应用...

2018-03-27 阅读(3912)

典型的GaN HEMT器件结构如图1所示。其基本构成为衬底层、过渡层、GaN缓冲层、间隔层、电荷供应层、势垒层、帽层、钝化层及电极接入区。各层材料属性和...

2018-03-26 阅读(511)

1 . GaN基新型电子器件 GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料...

2018-03-26 阅读(521)

GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，其可逆的反应方程式为： Ga＋NH 3 =GaN＋3/2H 2 生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定...

2018-03-22 阅读(396)

通过阵列雷达对收发系统的要求可见，对于氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中如何应用，选择哪一类放大器的偏置，采用哪一种外围电路等与此息息相...