氮化镓场效应晶体管的构造
我们列举了氮化镓场效应晶体管的四种不同构造版图(见图1)。所列器件已实现无铅及无卤化物。符合有害物质限制条例要求的栅格阵列封装使用含95.5%Sn，4%Ag和0.5%Cu焊的焊盘。焊条高度为100µm+/-20µm。
图1(a): eGaN FET①及eGaN FET⑤晶片和焊条版图的焊条图。
图1(b): eGaN FET⑥及eGaN FET④晶片和焊条版图的焊条图。
图1(c): eGaN FET③晶片和焊条版图的焊条图。
图1(d): eGaN FET②晶片和焊条版图的焊条图。
所有无铅产品在260℃的湿度灵敏等级都是1级(MSL1)，是商用半导体中最高的一级。产品采用卷带供货，以支持高效和低成本的装配(如图2所示)。
图2: 卷带构造。
印刷电路板的设计指南
焊盘设计
图3显示了针对表1所列出的每一个(共四个)氮化镓场效应晶体管的构造版图的推荐焊盘设计。由阻焊层设定(SMD)的焊盘设计是首选，因为与由非阻焊层设定(NSMD)的焊盘设计相比，它更为精确。由于其间距的结构精细，SMD可以防止晶片倾斜。我们从缩减锡棒两边的阻焊层宽度10µm就可以实现这些由阻焊层设定的焊盘设计。对具有200µm宽度锡棒的产品来说，由阻焊层设定的焊盘宽度为180µm。对具有250µm宽度锡棒的产品而言，其阻焊层设定的焊盘宽度将会是230µm。
表1: 各个氮化镓场效应晶体管的器件规格。
图3(a): eGaN FET①及eGaN FET⑤的推荐焊盘(以micron计算尺寸)。
图3(b): eGaN FET⑥及eGaN FET④的推荐焊盘(以micron计算尺寸)。
图3(c): eGaN FET③的推荐焊盘(以micron计算尺寸)。
图3(d): eGaN FET②的推荐焊盘(以micron计算尺寸)。
面处理物
常用的焊盘表面处理的物料如下:
·NiAu(无电镀镍沉浸金)
·OSP(有机可焊性防腐剂
·HASL(热空气整平)
·沉浸Ag(银)
晶片盘顶的铜层
我们推荐在晶片区域外的顶层采用两盎司铜和印刷电路板通孔。通孔不应该放在锡棒下面，除非通孔非常小且完全被铜填满。通孔的洞口处于源极、栅极或漏极锡棒下面，可引致电路板跟晶片之间大不相同的层间距离。这个层距可1)影响使用者能否完全清洁电路板跟场效应晶体管之间的区域;2)增晶片倾斜的变化;及3)致使晶体管的温度循环表现变差。
铜板版模设计
我们所推荐的钢版孔径的设计见图4，面相对不同底层的器件简图见图5及图6。
长方形孔径的长度及阔度与焊盘相同。孔径角是具60µm半径的圆弧。我们所推荐的钢版薄片的厚度是100µm。
图4(a): eGaN FET①及eGaN FET⑤的推荐钢版孔径设计(单位为µm)。
图4(b): eGaN FET⑥及eGaN FET④的推荐钢版孔径设计(单位为µm)。
图4(c): eGaN FET③的推荐钢版孔径设计(单位为µm)。
图4(d): eGaN FET②的推荐钢版孔径设计(单位为µm)。
图5：焊条、锡焊料钢版和外铜层的顶视图。
图6：放置在含印刷版模焊剂的电路板的晶片的截面图。
图5：焊条、锡焊料钢版和外铜层的顶视图。
图6：放置在含印刷版模焊剂的电路板的晶片的截面图。