氮化镓MOS
氮化镓MOSFET结构、工作原理,氮化镓MOSFET应用技术等文章。
氮化镓MOSFET结构、工作原理,氮化镓MOSFET应用技术等文章。
当我们为电路设计任何版图,必需考虑什么是实用可行的。因为eGaNFET尺寸小,我们需要研究所选元件的尺寸及与电路的各个重要部分作出比较,以确定一个可实...
使用并联eGaN FET的转换器的性能,可通过创建开关并联影响因数(PIF)作出定量比较。PIF的定义包含开关能力,而省略了额外的阻抗(R DS ( O N) 和电路板上分配热负...
现在我们可以利用每个设计在开关工作时的di/dt极限值来确定电感值。然后可以利用这些数字来确定哪个设计为并联eGaN FET提供最好的布局。接着可以选择并...
氮化镓场效应品体管就像MOSFET一样,不能简单地将各个端子彼此连接起来,以得到一个好的内含并联器件开关。为了设计一个含并联氮化镓场效应晶体管的开...
我们通常需要从两个角度考虑版图设计:(1)印刷电路板的限制(包括电路板组装);以及(2)布局和布线的设计。氮化镓场效应晶体管也不例外,但由于它们的尺寸...
栅极驱动器是连接到场效应晶体管的最重要电路,其功用是可靠地导通及关断场效应晶体管。我们已经讨论过,它能否发挥最高性能还看版图。如果切入并...
在使用并联器件时,版图上的器件参数、电路和寄生元件的影响都变得非常重要。比如考虑一个忽略L G 的简化后开关电路,漏极电流在整个切换时间内呈线性...
开关的瞬时抗扰性定义为在没有影响氮化镓场效应晶体管性能情况下,dv/dt及di/dt的最高开关速度。对开关性能的负面影响可以简单解释为在栅极电路中所引...
器件特性的影响 在并联任何开关器件之前,我们需要确定这些器件可否并联或需要特别的技术才可以并联。增强型氮化镓场效应晶体管是一种相对较新的技...
散热的考虑因素 由于氮化镓场效应晶体管具有本质上更低的导通电阻,这些器件的尺寸比具有同等导通电阻的功率MOSFET晶片小很多,因此具有更高的等效热阻...