我们采用漏电流注入方法（DCIT）来测试不同凹槽栅深度的MOS-HEMTs和常规MOS-HEMTs器件的击穿特性。漏电极输入1mA/mm的电流，源端接地，栅压从0V扫到阈值电压以下，检测栅电流和漏源间电压，在栅压大于阈值电压时，沟道是导通的，漏端电流很容易就能达到1mA/mm，而当栅压小于阈值电压时，为了达到1mA/mm的漏端电流，则需要增加漏源电压。当栅电流和漏电流都达到1mA/mm时，就是栅电流都流到漏端，此时器件击穿。从图1可知，常规MOS-HEMTs和不同凹槽栅深度的MOS-HEMTs器件的击穿电压为102,102,87和84V。击穿电压随着凹槽栅刻蚀深度的增加发生退化，这可能是在刻蚀凹槽栅过程中在AlGaN势垒层表面负电荷Cl电荷富集，这导致了能带中导带边缘的弯曲。在AlGaN势垒层表面富集的负电荷与N空位会增加肖特基与势垒层间的界面态，这会增加陷阱辅助隧穿的几率，使得器件的击穿特性发生退化。这都是由于凹槽栅刻蚀造成的，可以通过等离子体预处理来消除，或者退火来消除陷阱和平坦刻蚀过的表面粗糙度。