减小电流崩塌有钝化、场板和帽层结构等，MOS栅介质也是解决电流崩塌的一种，而对于缓冲层所产生的漏延迟，具体体现为在器件工作时，沟道开启状态下，沟道电子被加速，不断和晶格碰撞，另外沟道温度也随之增加，导致沟道电子有一部分变成了“热电子”，这部分“热电子”遂穿到栅和漏电极间的势垒层表面缺陷和表面态，引起电流延迟，也可能被AlGaN层的体缺陷所俘获，还有很大一部分“热电子”被缓冲层的陷阱所俘获，毕竟异质结靠缓冲层端的势垒高度较低，“热电子”较容易发射到缓冲层被体陷阱所俘获，导致漏延迟（电流崩塌）。
本文提出使用AlGaN层作为缓冲层，牺牲了异质结的极化强度来提高异质结靠缓冲层端的势垒高度，这会大大减小“热电子”被缓冲层体缺陷所俘获，但研究者认为，AlGaN层作为缓冲层会使得缓冲层的体缺陷大大增多，这将会影响器件的功率特性和高频特性。
图1 AlGaN缓冲层（a图）和常规GaN缓冲层（b图）的器件在不同静态工作点下的电流崩塌特性。
图1描述了常规常规GaN缓冲层和AlGaN缓冲层结构的凹槽栅MOS-HEMTs器件在四个静态工作点，Q点分别为（0,0）、（-9,0）、（-9,20）和（0,20），分析在这四个静态工作点下的电流崩塌量。为了分析在器件关断状态下的崩塌量，将图3中的Q点（0,0）、（-9,0）和（-9,20）另外放在一起在做图，如图2所示，a图为器件在Q点(-9,0)下的电流崩塌，b图为在Q点(-9,20)下的电流崩塌，c图为在(0,20)下的，而d图为三种直流静态工作点下的电流崩塌量。当器件的静态工作点为(-9,0)和(-9,20)时，器件是处于截止状态下，沟道中并没有电子，崩塌量都比较小。但随着漏压的增加，不管是GaN缓冲层结构的还是AlGaN缓冲层结构的器件崩塌量都会增加，都会受到漏压调制崩塌效应。另外当器件的静态工作点处于(-9,0)和(-9,20)时，AlGaN缓冲层的崩塌量均大于GaN缓冲层的，这主要是由于AlGaN作为缓冲层（Al组分为7%）引入了大量的陷阱所导致的。但当器件静态工作点处于（0,20）时，沟道开启，电子被加速，部分成为热电子，可能会通过遂穿形式等发射到势垒层和缓冲层中去，被体陷阱和势垒层表面态所俘获而导致较为严重的电流崩塌，相比于GaN缓冲层的器件46%的崩塌量，AlGaN缓冲层的器件35%的崩塌量就小得多了，这因为GaN作为缓冲层缺少背势垒结构来阻止热电子被缓冲层的体陷阱所俘获，而AlGaN作为缓冲层结构会提高异质结背势垒的势垒高度，从而降低热电子遂穿到缓冲层的几率，减小崩塌量。总结两种结构的电流崩塌情况，各有优缺点，AlGaN作为缓冲层可以有效地抑制热电子发射效应，但同时也引入大量陷阱到缓冲层结构中，这是今后研究的重点，如何降低AlGaN作为缓冲层所引入的陷阱数量，如ELOG技术。
图2 GaN（buffer）和AlGaN(buffer)凹槽栅MOS-HEMTs器件的电流崩塌特性，Q点为(a)（-9,0），(b)（-9,20），(c)（0，20）和(d)器件在不同直流静态工作点下的电流崩塌量。
图3 AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs器件频率特性