电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax是微波功率晶体管的两个重要特征值，可以由S参数测量得到，测量过程中可以同时获得器件的其它特性参数，并可以从中获得器件的特性电路模型，利用这些参数可以对器件的基本物理特性进行详细分析。利用网络分析仪对器件进行微波小信号测试得到器件的S参数。要测试这两个参数，器件要偏置在最大的DC跨导条件下，用网络分析仪测量其S参数。通过测量不同频率下的S参数，推导出电流的短路电流增益H21和单向最大可用功率增益MAG。绘出增益和频率的特性曲线，通过外推确定电流增益和单向电流增益达到0时的频率，分别为fT和fmax。
由图1可知AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs器件的fT为17GHz，其fmax为38GHz。影响fT值的主要参数是跨导和栅源与栅漏间的电容，在跨导值没有明显变化的情况下，栅源和栅漏之间的电容将直接影响器件截止频率fT的大小，其电容的和与截止频率fT成反比例关系[39]。当AlGaN作为缓冲层时，对栅源和栅漏之间的电容响应不打，截止频率fT基本不发生变化。而器件的最大振荡频率fmax与器件的导通电阻成反比，当器件的截止频率fT变化不大时，那么决定器件最大振荡频率fmax的就将是器件导通电阻。由于AlGaN作为缓冲层，提高了二维电子气的限域性和缓冲层的高阻特性，减小了缓冲层漏电，从而增加了源漏见的输出电阻RDS，这会导致其最大荡频率fmax的提高。可见，缓冲层的高阻特性对器件的高频特性有着显著的作用，AlGaN作为缓冲层和Fe、C等掺杂等方法实现缓冲层的高阻特性是很有研究的必要。
图1 AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs器件频率特性
2. AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs功率特性
我们采用Maury公司的负载牵引系统（Load-Pull）对器件进行功率特性的测试，测试的频率点为4GHz，这量测系统是验证功率放大器最精准而且最完整的量测平台。
图2 AlGaN缓冲层凹槽栅MOS-HEMTs器件的功率特性
选用的器件的栅长为0.5μm，栅宽为50um，具有T型栅场板，SiN器件钝化等。图2给出了AlGaN作为缓冲层的凹槽栅型MOS-HEMTs器件的功率特性。在漏电压为35V，栅电压接近于截止电压，使器件工作在深耗尽AB类的状态下。通过调整源端（Source-Pull完成）和漏端（Load-Pull完成）的阻抗，使得器件输出的功率附件效率(PAE)为最高。在这测试偏置下，器件的饱和功率密度为7.1W/mm，功率附件效率(PAE)达到61.5%。可见缓冲层采用AlGaN的凹槽栅型MOS-HEMTs器件具有优良的功率特性，有着广阔的运用前景。