氮化镓功率器件
氮化镓功率器件应用技术前瞻，氮化镓功率器件特性，氮化镓功率器件国内外大厂动向相关文章。
AlGaN/GaN HEMT欧姆及肖特基接触工艺
1. 欧姆接触工艺 金属与半导体接触时可以形成非整流接触，即欧姆接触，它不产生明显的阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变；...
AlGaN/GaN HEMT制备中的光刻及隔离工艺
AlGaN/GaN HEMT器件结构及工作原理
1 . AlGaN/GaN HEMT 器件的结构 HEMT器件是三端电压控制器件，它有三个电极，分别是栅极、源极和漏极。栅极通常是肖特基接触电极，源极和漏极是欧姆接触电...
GaN HEMT器件功放应用前景
作为一种化合物半导体材料，GaN材料具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，包括能够满足大功率、高温、高频和高速半导体器件的工作要求。其中...
HMET的MOS栅极结构输出电流特性
在金属栅和AlGaN势垒层间插入Si02绝缘层，会形成MOSHFET结构，这种结构克服了肖特基接触反向泄漏电流大，易击穿的问题，能够进一步改善器件的热稳定性。...
引入窄禁带InGaN的HEMT结构特性
InGaN禁带宽度比AlGaN要窄，但极化效应更强。本文考虑在AlGaN/GaN异质结中插入禁带窄的InGaN材料形成AlGaN/InGaN/GaN结构，如图1所示，研究窄禁带情况下的能带、...
HMET器件横向尺寸的变化
场效应管横向尺寸的变化，主要影响沟道中电场的分布和大小。将源漏间距由3m按比例缩小0.5倍和增加0.5倍，三种情况下的输出漏极电流如图1所示。图1a对...
插入AlN阻挡层结构的HEMT性能变化
双异质结HEMT结构
HEMT多沟道可以用于增大HEMT驱动电流。GaAs基HEMT多沟道结构有较多研究，在GaN基材料HEMT中，多沟道HMET研究较少。AlGaAs势垒层的引入往往并非用于形成第二沟...
增加GaN帽层的HEMT结构
GaN帽层结构的引入一般是用于减小电流崩塌效应。图1是增加了GaN帽层后的HEMT结构，以下将分析不同的GaN帽层厚度对AlGaN/GaN异质结的能带和2DEG的影响，以及...