氮化镓功率器件
氮化镓功率器件应用技术前瞻,氮化镓功率器件特性,氮化镓功率器件国内外大厂动向相关文章。
氮化镓功率器件应用技术前瞻,氮化镓功率器件特性,氮化镓功率器件国内外大厂动向相关文章。
AlGaN/GaN HEMT基本结构如图1所示,最底层是衬底层,然后外延生长GaN层和AlGaN层,AlGaN/GaN形成异质结,导电沟道在异质结靠近GaN的一侧。在AlGaN薄层上肖特基接...
器件击穿电压测试平台使用Cascade高压探针台,测试设备使用吉时利(Keithley)2410高压源表,电压测试范围为0~1100V,电流测试范围为0~1A。 测试时栅极电压...
器件转移特性与输出特性测试平台使用Cascade高压探针台,测试设备使用吉时利(Keithley)4200-SCS参数分析仪。 增强型AlGaN/GaN MIS-HFET器件转移特性如图1所示,...
凹槽栅增强型AlGaN/GaN HFET器件关键工艺和基础工艺进行了详细讨论。在此基础上,可以整合出一套完整的凹槽栅增强型AlGaN/GaNHFET功率器件工艺流程。 其中,...
如图1所示为增强型AlGaN/GaN MIS-HFET器件结构横截面示意图。AlGaN/GaN晶圆为基于4英寸Si衬底的国产MOCVD外延片,将该4英寸晶圆使用划片机划成多个2cm2cm的方片作...
对于AlGaN/GaN HFET器件而言,源漏极的欧姆接触电阻一直是影响器件性能的关键因素。高性能欧姆接触对于AlGaN/GaN HFET器件实现其大电流大功率的优势具有关键...
1. 直流特性对比 采用常规工艺得到的GaN HEMT器件在零偏压下导电沟道依然存在,即为常说的耗尽型器件。对应地,若零偏压条件下器件处于关断状态,则将...
无线通信业的飞速发展导致对其中所用功放元件工作频率的要求越来越高。对GaN基HEMT器件而言,栅长是影响器件频率特性的主要因素之一。半导体工艺尺寸...
一只性能良好的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备首先要从精细的材料生长开始。目前,GaN晶体薄膜的外延生长技术主要包括同质外延和异质外延两种。由...
我们对常规AlGaN/GaN HEMT器件进行相关测试,其中AlGaN势垒层材料的Al组分为0.3,衬底选用的是两英寸的蓝宝石(Al 3 O 2 )基片,采用MOCVD方法在衬底材料的(...