GaN基材料禁带宽度大，电子亲和势相对较小，在半导体与金属之间总存在一个势垒，因此隧穿效应是AlGaN欧姆接触形成的主要机制。Ti/Al/金属/Au四层结构是目前AlGaN欧姆接触的标准金属化方案，在沉积金属后通过高温退火使金属、半导体合金化，形成较低的势垒。
AlGaN材料表面性质活跃，在器件制作过程中容易受到空气中氧和金属离子杂质的污染。这些元素与AlGaN表面发生化学反应，生成新的物质，使金属与半导体之间的势垒宽度增加。此外，当高密度表面态存在时，费米能级EF被钉扎在半导体禁带处的某个能级，使得接触势垒变高。这些均严重影响了欧姆接触的质量，因此沉积金属前对半导体进行表面处理尤为重要。等离子体处理是常用的表面处理技术之一，Deepak等人通过实验得出：经SiCl4等离子体处理，GaN和AlGaN表面可以生成更多的氮空位，提高金属-半导体界面的n型等效掺杂浓度，进而使势垒高度变低，优化欧姆接触质量。此外，溶液表面清洗也是常用的表面处理技术，它通过物理作用及化学反应，有效去除半导体表面粘着物及氧化物。并且，部分溶液所含的化学成分可以在半导体表面形成一层钝化膜，降低表面态密度。