氮化镓二极管

2019-06-26 阅读(481)

首先进行的实验是对常规HEMT结构二极管和F处理HEMT结构二极管进行反向应力实验。我们在这里选取的是HEMT器件中的栅漏/栅源二极管进行测试实验。大面积...

2019-06-24 阅读(670)

F注入后的HEMT肖特基管的正向电流特性是由陷阱辅助隧穿决定的，偏离了热电子发射的曲线，因而提取出来的影响因子为不合理的5以上。在上一篇文章中，...

2019-06-21 阅读(183)

图1提取二极管参数测试示意图 从以上的分析我们可以设计测试实验以抽取HEMT结构二极管的内建电势和势垒高度，并分析栅源、栅漏寄生悬空栅HEMT对I-V特性...

2019-06-19 阅读(388)

图1Ni-AlGaN/GaN肖特基二极管结构示意图 在实际AlGaN/GaNHEMT器件的使用中，常见的结构是使用栅极与AlGaN势垒层的Ni-AlGaN接触作为肖特基二极管结构。栅极作为二...

2019-06-18 阅读(612)

图1 不同温度下的HEMT结构二极管反向I-V特性曲线 为了分析高场下栅边缘漏电的导电机制，对于器件进行温度相关的电流-电压（I-V-T）测试。如图1所示，常...

2019-06-14 阅读(499)

图1面积电流和边缘电流分布示意图 上篇文章将栅极到漏极的二极管的反向漏电分成了两个部分，一个是面积相关的的面电流和边缘长度相关的栅边缘电流...

2019-06-12 阅读(279)

图1 肖特基金属接触面积HEMT结构二极管反向I-V曲线和1um栅长HEMT结构肖特基二极管反向I-V曲线对比 在分析HEMT结构肖特基二极管的特性时，经常会碰到两种截...

2019-05-29 阅读(257)

日本ToyodaGosei公司研发的垂直氮化镓肖特基势垒二极管（SBD），能够在790V反向阻断的条件下，处理50A的正向电流。研究人员称，这款在独立氮化镓衬底上构...

2019-05-27 阅读(257)

日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品采用三层漂移结构。...

2019-05-22 阅读(387)

日本松下公司近日开发出新款氮化镓二极管，新产品在额定电压1200V条件下，工作电流是传统碳化硅二极管的4倍，且开启电压较低，运行时电压仍然可维持...